IGBT功率半導體最大的優勢是節能，傳統的功率半導體損耗非常大，需要多個器件才能達到電能轉換的效果。IGBT通過調節電機的轉速來提升能源轉換效率，從而達到節能的作用。
需求上，IGBT的需求最主要來自新能源汽車帶動的增長；工業領域屬于穩健的需求，增量來自于新基建；新能源變電和電網來自國家政策的推動發展；軌道交通是中國的優勢領域。但是，相對于傳統功率半導體，IGBT工藝流程長達2.5-3個月，只要有一個參數變生偏差，就需要工藝流程重新返工，1年時間內沒有幾次試錯的機會。
附件：方正證券的研究報告《IGBT功率半導體研究框架》
8 寸晶圓制造產能當前呈現供不應求的狀態，但市場擔憂此輪景氣的狀態僅是短期庫存建立的結果，但需求端更為旺盛，尚不存在庫存過剩的問題
半導體硅片占半導體制造材料市場規模比重約 37%，位于半導體制造三大核心材料之首，半導體材料材料按應用領域分為晶圓制造材料和封裝材料
研究了全球及各地區半導體芯片市場格局，并且聚焦于一系列在物聯網等應用場景與AI、5G通訊等應用技術中具有發展潛力的企業，篩選了50家最有可能成為未來行業顛覆者的初創企業
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《半導體產業近期趨勢及核心問題討論》回顧了全球和國內半導體產業今年以來的變化，分析了國內半導體產業三個核心問題
國內外 SIC 產業鏈日趨成熟，成本也在持續下降，產業鏈爆發的拐點臨近，到 2025 年 30 億美金 2030 年 100 億美金，即 10 年 20 倍增長
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